Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.11: Talk

Monday, March 27, 2000, 13:00–13:15, H13

Charakterisierung von GaN-Schichten auf Si(111)-Substraten — •Andre Strittmatter¹, A. Krost², J. Bläsing², P. Veit² und D. Bimberg¹ — ¹Technische Universität Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Inst. f. Experimentelle Physik, PF 4210, 38109 Magdeburg

Die GaN-Schichten wurden mittels MOCVD auf Si(111)-Substraten

abgeschieden. Die Charakterisierung dieser Schichten erfolgte mittels

Roentgenbeugung, Photolumineszenz, Rasterkraftmikroskopie und

Transmissionselektronenmikroskopie. Zur Bestimmung elektrischer

Eigenschaften wurden Schottkydioden hergestellt. Die erhaltenen

Werte in allen Messungen zeigen eine gute Materialqualitaet. So

wurde die Dichte der durchstossenden Versetzungen zu 10e10 be-

stimmt. Die Lumineszenz dieser Schichten wird sowohl bei Helium-

als auch bei Raumtemperatur von bandkantennaher bzw. Band zu Band

Uebergaengen bestimmt. Die Schottkydioden weisen einen geringen

Sperrstrom von 80 pA bei 10 V auf und saettigen bei geringen

Vorwaertsspannungen, was auf eine geringe Hintergrunddotierung

der GaN-Schichten schliessen laesst.