Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.12: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 13:15–13:30, H13

Surfactant modifizierte Epitaxie: Herstellung und elektrische Charakterisierung eines Ge-p-Kanal-MOSFETs auf Si- Substrat — •N. Hoffmann¹, T. Wietler¹, M. Kammler¹, D. Reinking¹, K.R. Hofmann¹ und M. Horn-von Hoegen² — ¹Inst. für Halbleitertechnologie, Universität Hannover — ²Inst. für Laser- und Plasmaphysik, Universität Essen

Mit der Surfactant modifizierten Epitaxie (SME) können relaxierte Ge- Filme auf Si(111)-Substraten aufgewachsen werden. Die Gitterfehlanpassung erfolgt dabei über ein in der Si/Ge-Grenzfläche liegendes periodisches Versetzungsnetzwerk.

Dabei nimmt die Dotierung der Ge-Filme durch den verwendeten Surfactant Sb mit zunehmender Wachstumstemperatur um bis zu 3 Größenordnungen auf Werte von 10¹⁶cm⁻³ ab. Hallmessungen an diesen Filmen ergeben Elektronenbeweglichkeiten von bis zu 3300 cm²/Vs bei 300K. Als erstes auf SME basierendes Bauelement zeigt der Ge-p-Kanal-MOSFET hohe Kanaldriftbeweglichkeiten von 430 cm²/Vs.

Elektrische Untersuchungen von SME-gewachsenen Ge/Si-Heteroübergängen werden vorgestellt und der Einfluß der periodisch angeordneten Grenzflächendefekte diskutiert.