Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.1: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 10:30–10:45, H13

Lokale Struktur von implantiertem B in amorphem Si — •B. Ittermann, F. Mai, M. Füllgrabe, M. Heemeier, F. Kroll, K. Marbach, P. Meier, H. Mell, D. Peters, H. Thieß, H. Ackermann und H.-J. Stöckmann — Fachbereich Physik der Universität Marburg, D-35032 Marburg

Wir berichten Messungen mit β-strahlungsdetektierter Kernspinresonanz an implantiertem ¹²B in amorphem Si. Unabhängig von den Wachstumsbedingungen und dem Verunreinigungsgehalt werden in allen Proben dieselben Frequenzverteilungen gemessen. Diese wird interpretiert als intrinsische Signatur der amorphen Matrix, insbesondere können nahe B–H-Paare ausgeschlossen werden. Aus dem Vergleich unserer Daten mit ¹¹B-NMR-Messungen aus der Literatur ergibt sich, daß die lokale B-Konfiguration vollständig von den Einbaubedingungen bestimmt wird. Bei unserer Niederdosis-Implantation wird alles B vierfach koordiniert eingebaut und ist elektrisch aktiv. Im Gegensatz dazu wird bei der normalen Gasphasendotierung oder Hochdosis-Implantation Bor vielfach dreifach koordiniert eingebaut.