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HL: Halbleiterphysik
HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie
HL 3.5: Talk
Monday, March 27, 2000, 11:30–11:45, H13
Transport und Rekombination in a-Si:H/c-Si Solarzellen — •Robert M*ller, Peter Kanschat, Klaus Lips und Walther Fuhs — Hahn-Meitner-Institut, Kekulestr.5, 12489 Berlin
Zur Untersuchung von Transport- und Rekombinationsprozessen über paramagnetische Zustände in a-Si:H(P)/c-Si Heterosolarzellen verwenden wir die elektrisch detektierte magnetische Resonanz (EDMR), die gegenüber der ESR eine um Größenordnungen höhere Nachweisempfindlichkeit hat. Bei 30K finden wir im Photostrom ein Signal bei g = 2.0045, welches einem Hoppingtransport über Leitungsbandausläufer in der a-Si:H(P) Schicht zugeordnet wird.
Dieses Signal tritt sowohl als resonante Stromabnahme wie auch als Zunahme auf, wobei beide Signale unterschiedliche Zeitkonstanten aufweisen. Über die Größe der ebenfalls beobachteten 31P Hyperfeinaufspaltung ist eine Abschätzung der Lage des Ferminiveaus in der Emitterschicht zu Ec-EF = 0.25eV möglich.
Im Dunkelstrom bekommen wir für Spannungen > 2.5V zusätzlich eine schmale Linie bei g = 2.01, deren Breite von der Spannung abhängt und die wir einem Hoppingtransport der Löcher im Valenzbandausläufer zuordnen. Die Ergebnisse werden innerhalb eines einfachen Transport- und Rekombinationsmodells diskutiert.