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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.6: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 11:45–12:00, H13

Monte-Carlo Simulation der spontanen Bildung von InAs-Quantenpunkten — •Clemens Dumat, Christian Heyn und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Zum besseren Verständniss der elementaren Prozesse beim selbstorganisierten Wachstum von InAs Quantenpunkten auf GaAs-Substrat wurde ein Simulationsmodell basierend auf einem kinetischen Monte-Carlo Ansatz entwickelt. Das InAs Kristallgitter wird dabei als (fcc)-Gitter abstrahiert und im Computer in ein Kugelmodell abgebildet. Verschiedene Ansätze zur Modellierung der Verspannung werden diskutiert. Mit der Simulation können experimentelle Befunde, wie die spontane Bildung der Quantenpunkte, reproduziert werden. Als Form der Quantenpunkte ergeben sich Pyramiden mit abgeschnittener Spitze.