Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.8: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:15–12:30, H13

in-situ RAS-Untersuchungen zur Grenzflächen-Dielektrischen-Anisotropie von Al_xGa_1−xAs/GaAs (001) — •K. Haberland¹, A. Kaluza², A. Shkrebtii³, H. Hardtdegen², J.-T. Zettler¹ und W. Richter¹ — ¹Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — ²Forschungszentrum Jülich, Institut für Schicht- und Ionentechnik, 52425 Jülich — ³University of Toronto, Canada

Wir haben mittels in-situ Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS/RDS) die dielektrische Anisotropie der Grenzflächen von Al_xGa_1−xAs/GaAs(001)-Heterostrukturen in Abhängigkeit der Stöchiometrie untersucht. Dazu wurden Al_xGa_1−xAs Schichten verschiedener Dicken zwischen wenigen Monolagen und einigen hundert Nanometern in der MOVPE präpariert und in-situ analysiert. Aus den gemessenen Spektren, wurden die Oberflächen-Anisotropie, die Grenzflächen-Anisotropie und die Volumen-Anisotropie bestimmt. Die so bestimmte Grenzflächen-Anisotropie zeigt eine gute Übereinstimmung mit theoretischen Rechnungen (Tight-binding Berechnung der optischen Eigenschaften nach Totalenergie-Minimierung der Grenflächen-Relaxation mittels DFT-LDA). Das Experiment zeigt für Schichtdicken kleiner als 8 Monolagen eine Kopplung zwischen Grenzflächen- und Oberflächen-Zuständen. Wir diskutieren den Einfluss des Aluminiumgehalts auf die Grenzflächen-Anisotropie-Signatur und das Verhalten der inversen Grenzfläche GaAs/AlAs.