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HL: Halbleiterphysik

HL 3: Amorphe Halbleiter/Epitaxie

HL 3.9: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:30–12:45, H13

Einsatz von Tertiärbutyl-Arsin (TBA) und -Phopshin (TBP) in einer GS-MBE-Anlage zum Wachstum von III/V-Heterostrukturen für den 1,55 µ m Wellenlängenbereich — •B. Mayer, J.P. Reithmaier und A. Forchel — Technische Physik, Am Hubland, 97074 Würzburg

Der Einsatz von Arsin und Phosphin als Gruppe-V-Precursor stellt durch das inhärente Gefährdungsspotential sehr hohe Anforderungen an die Sicherheitstechnik. Aus diesem Grund wurden in den letzten Jahren intensive Bemühungen unternommen, ungefährlichere Ersatzstoffe zu entwickeln. In MOCVD- und MOMBE-Anlagen konnte bereits demonstriert werden, dass mit dem erheblich ungefährlicheren TBA bzw. TBP vergleichbar gute Schichtqualitäten erreicht werden konnten. Im Vergleich dazu gibt es jedoch nur wenig Erfahrung beim Einsatz dieser Ersatzstoffe in Gasquellen(GS)-MBE-Anlagen.

In der verwendeten GS-MBE-Anlage wurden unter Einsatz von zwei separaten TBA/TBP-Hochtemperatur-Crackerquellen GaInAs/GaAs- und GaInAs/InP- Quantenfilmstrukturen bzw. aluminiumhaltige Laserschichtstrukturen für den 1,55 µ m Wellenlängenbereich hergestellt. Die Material- und Grenzflächenqualität wird anhand von Photolumineszenz- und hochauflösenden Röntgendiffraktometermessungen diskutiert.