Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Organische Bauelemente

HL 30.4: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:15–11:30, H13

Untersuchung elektrooptischer Eigenschaften an organischen Leuchtdioden mit SNOM und SELM — •H. Hänsel, H. Zettl, A. Knoll und G. Krausch — Universität Bayreuth, Physikalische Chemie II, D-95440 Bayreuth

Ein grosser Vorteil organischer Leuchtdioden ist, dass sie man relativ einfach großflächig herstellen kann. Demgegenüber scheinen Effizienz und Lebensdauer dieser Dioden entscheidend von Prozessen bestimmt zu sein, die sich auf der Submikrometerskala abspielen. Mithilfe von lokal angeregter Elektrolumineszenz (SELM) und nahfeldoptischer Rastermikroskopie (SNOM) sind lokale Unterschiede elektrooptischer Eigenschaften detektierbar.
Wir haben verschiedene organische Leuchtdioden auf Monomer- und Polymerbasis untersucht. Die SNOM-Messungen lassen Aussagen über die Degradation an der Grenzfläche zur Kathode zu. Die Degradation verläuft aufgrund der geringen Dicke der Kathodenschicht sehr schnell.
Die SELM-Messungen liefern an einem einzelnen Meßpunkt Dioden- und Effizienzkennlinien. Wir haben ferner die Abhängigkeit zwischen der Elektrolumineszenz und dem Druck untersucht, mit dem die Meßspitze die Probe berührt. Diese Eigenschaften variieren zum Teil sehr deutlich mit der Position der Spitze auf der Probe. Wir können also die Leitfähigkeit und die Lumineszenzeffizienz der Dioden ortsaufgelöst vermessen.