Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Photovoltaik II

HL 31.3: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:00–11:15, H14

Elektronische und chemische Struktur relevanter Grenzflächen in Cu(In,Ga)Se₂–Solarzellen — •U. Groh¹, D. Eich¹, R. Fink¹, C. Heske¹, E. Umbach¹, F. Karg² und W. Riedl³ — ¹Experimentelle Physik II, Universität Würzburg — ²Siemens AG Corporate Research and Development, München — ³Siemens Solar GmbH, München

Die elektronische Struktur der Grenzflächen von Cu(In,Ga)Se₂- oder auch Cu(In,Ga)(S,Se)₂–Solarzellen ist für das Verständnis ihrer elektrischen Eigenschaften von großer Bedeutung. Für den Ladungsträgertransport spielen insbesondere die Grenzflächen zu den aufgebrachten Pufferschichten (CdS, ZnSe oder auch In(OH,S)) eine wichtige Rolle. Wir berichten über (oberflächensensitive) Photoemissionsuntersuchungen an RTP–prozessierten Solarabsorbern, die mit dem Ziel durchgeführt wurden, die elektronische Struktur der Absorber/Pufferschicht–Grenzflächen und insbesondere das Verhalten der Bandoffsets zu bestimmen. Durch die Kombination mit volumenspezifischen Röntgenemissionsmessungen kann man Durchmischung an den inneren Grenzschichten aufzeigen. Sowohl „reine“ Cu(In,Ga)Se₂- als auch geschwefelte Absorber kamen zum Einsatz. Die gemessenen Bandoffsets werden in Abhängigkeit von verschiedenen Puffer-/Absorbermaterialien und unter besonderer Berücksichtigung des Natrium–Gehalts der Solarzellen diskutiert.