Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Photovoltaik II

HL 31.4: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 11:15–11:30, H14

Untersuchung zum Leitungsbandoffset der CdS/Cu(In,Ga)Se₂ Grenzfläche — •M. Morkel¹, U. Herber¹, U. Groh¹, R. Fink¹, C. Heske¹, E. Umbach¹, W. Riedl² und F. Karg² — ¹Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²SIEMENS AG Corporate Reasearch and Development, Domagkstr. 11, 80807 München

Die Bestimmung der Banddiskontinuitäten an der CdS/Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS) Grenzschicht ist sehr wichtig für ein Verständnis der elektrischen Eigenschaften von CIGS-basierenden Dünnschichtsolarzellen. Mithilfe von Photoemissions-Untersuchungen (PES) wurden in vielen Fällen Informationen über Valenzbandoffsets in Abhängigkeit von verschieden-en Materialkombinationen und Herstellungsmethoden gewonnen. Die Bestimmung des Leitungsbandoffsets ist aus PES-Untersuchungen nur unter der Annahme von Volumenbandlücken und einer abrupten Grenzfläche möglich. Diese Annahmen sind für reale CdS/CIGS-Grenzflächen in der Regel nicht erfüllt. Zur direkten Bestimmung des Leitungsbandoffsets haben wir daher Untersuchungen mit inverser Photoemission (IPES) an realen CdS/CIGS-Grenzschichten (CdS-Abscheidung im chemischen Bad) durchgeführt. Die so gemessenen Leitungsbandoffsets werden im Vergleich mit PES Daten Valenzbandoffsets und im Zusammenhang mit der CdS-Schichtmorphologie diskutiert.