Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Photovoltaik II

HL 31.8: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 12:15–12:30, H14

Laterale Inhomogenitäten in CdS/Cu(In,Ga)Se₂ Dünnschicht-Systemen — •U. Herber¹, U. Stahl¹, W. Riedl², C. Heske¹, R. Fink¹ und E. Umbach¹ — ¹Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²SIEMENS AG Corporate Research and Development, Domagkstr. 11, 80807 München

Aufgrund der Polykristallinität von Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS)–Absorbern spielt bei der Beurteilung der photovoltaischen Kenngrößen insbesondere die Frage nach der lateralen Homogenität eine wichtige Rolle.
Durch Rastertunnelspektroskopie (STS) können lokale I–V–Kurven aufgenommen werden. Beleuchtet man außerdem die Tunnelregion mit einem IR-Laser von 795 nm, so kann man die lokale Oberflächenphotospannung (SPV) sowie unter modulierter Beleuchtung den photoinduzierten Tunnelstrom (PITC) messen. Diese Größen können direkt mit externen Kenngrößen der Solarzelle wie Leerlaufspannung und Kurzschlußstrom verglichen werden, wobei die gemittelten SPV–Werte sehr gut mit der Leerlaufspannung der fertigen Zelle korrelieren.
Untersucht wurden Proben aus verschiedenen Herstellungsprozessen (RTP und Koverdampfung) und mit unterschiedlichen CdS–Pufferschichten. Hierbei findet man konstante SPV– und PITC–Werte auf jedem Korn, jedoch große Schwankungen von Korn zu Korn. Der Einfluß von Herstellungsprozeß und CdS–Schichtdicke auf Größe und laterale Verteilung der für die spätere Zelle relevanten Kenngrößen wird diskutiert.