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Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Photovoltaik II

Donnerstag, 30. März 2000, 10:30–13:30, H14

10:30 HL 31.1 Kernprobleme der CdTe/CdS Dünnschichtsolarzelle und Entwicklung einer In-line Fertigungsanlage — •Anke Abken, Oliver Bartelt, Marc Köntges, Gisbert Leimkühler, Karsten Oehlstrom, Rolf Reineke-Koch und Stephan Ulrich
10:45 HL 31.2 Einfluß des Ga-Gehalts auf die Volumendefektdichte in Cu(In,Ga)Se2 — •G. Hanna, A. Jasenek, U. Rau und H. W. Schock
11:00 HL 31.3 Elektronische und chemische Struktur relevanter Grenzflächen in Cu(In,Ga)Se2–Solarzellen — •U. Groh, D. Eich, R. Fink, C. Heske, E. Umbach, F. Karg und W. Riedl
11:15 HL 31.4 Untersuchung zum Leitungsbandoffset der CdS/Cu(In,Ga)Se2 Grenzfläche — •M. Morkel, U. Herber, U. Groh, R. Fink, C. Heske, E. Umbach, W. Riedl und F. Karg
11:30 HL 31.5 Kennlinienanalyse von Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid Solarzellen zur Identifizierung von resistiven Verlusten — •I.M. Kötschau, M. Schmidt, S. Anderle, U. Rau, H.W. Schock und J.H. Werner
11:45 HL 31.6 Schichtwachstum von Cu(In,Ga)Se2 bei niedrigen Temperaturen — •M. Schmidt, H. Kerber, G. Hanna, T. Hahn, H. W. Schock und U. Rau
12:00 HL 31.7 Defekterzeugung in polykristallinem Cu(In,Ga)Se2 durch Elektronenbestrahlung — •K. Weinert, A. Jasenek, T. Hahn, M. Hartmann, H. W. Schock, U. Rau, J. H. Werner, B. Schattat, S. Kraft, K. H. Schmid und W. Bolse
12:15 HL 31.8 Laterale Inhomogenitäten in CdS/Cu(In,Ga)Se2 Dünnschicht-Systemen — •U. Herber, U. Stahl, W. Riedl, C. Heske, R. Fink und E. Umbach
12:30 HL 31.9 Untersuchung zum Leitungsbandoffset der CdS/Cu(In,Ga)Se2 Grenzfläche — •M. Morkel, U. Herber, U. Groh, R. Fink, C. Heske, E. Umbach, W. Riedl und F. Karg
12:45 HL 31.10 Theoretische Limits für Mulktispektrale Wandlung Solarer Strahlung mit Berücksichtigung der optischen Kopplung — •Gottfried Heinrich Bauer
13:00 HL 31.11 Morphologische und elektrische Eigenschaften von quasi-monokristallinen Silicium Schichten — •K. Bazzoun, T. J. Rinke, R. B. Bergmann und J. H. Werner
13:15 HL 31.12 Punktdefekte auf der (110) Oberfläche von III-V Halbleitern: DFT Rechnungen im Vergleich mit STM Experimenten — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
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