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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantenpunkte

HL 32.12: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 13:15–13:30, H15

Ladungstrgeremission aus InAs Quantenpunkten — •M. Lion¹, C. M. A. Kapteyn¹, R. Heitz¹, D. Bimberg¹, P. Brunkov², B.V. Volovik², A.R. Kovsh² und V. Ustinov² — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — ²A. F. Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia

Die Ladungsträgeremissionsmechanismen aus selbstorganisierten InAs Quantenpunkten in GaAs wurden mittels zeitaufgelöster Kapazitätsspektroskopie untersucht. Dabei stellt sich heraus, dass die Elektronenemission durch Tunnelprozesse dominiert wird. Tunneln aus dem QP-Grundzustand und thermisch aktiviertes Tunneln aus angeregten QP-Zuständen mit einer Aktivierungsenergie von 82 meV werden beobachtet. Im Gegensatz dazu spielen Tunnelprozesse bei der Löcheremission keine Rolle, was mit der größeren effektiven Masse zu erklären ist. Die gemessene thermische Emission mit einer Aktivierungsenergie von 164 meV wird als Übergang vom QP-Grundzustand in das GaAs-Valenzband interpretiert. Extrapolation zu Raumtemperatur liefert eine typische Verweilzeit für Löcher von ca. 5 ps, etwa eine Größenordnung größer als für Elektronen. Die gemessenen Energien stimmen gut mit theoretischen Vorhersagen für die QP-Niveaustruktur überein.