Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantenpunkte

HL 32.2: Talk

Thursday, March 30, 2000, 10:45–11:00, H15

Lokalisierte Biexzitonen in II-VI-Halbleiter-Quantenstrukturen — •K. Hild¹, W. Langbein¹, D. Miller¹, U. Woggon¹, M. Hetterich², C. Klingshirn², K. Leonardi³ und D. Hommel³ — ¹Institut für Physik, Universität Dortmund — ²Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe — ³Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

In epitaktisch hergestellten II-VI-Halbleiter-Quantenstrukturen werden die Wechselwirkungsprozesse einzelner Exzitonen untersucht. In CdS/ZnS-Quantenfilmen sind die Exzitonen an Schichtdickenfluktuation lokalisiert. In Zn_1−xCd_xSe/ZnSe-Quantenstrukturen kommt es durch die während der Herstellung angewendete Methode der “Migration-enhanced Epitaxy” (MEE) zur Bildung von CdSe-Inseln.
Für beide Strukturen wurde die Biexzitonbindungsenergie durch intensitätsabhängige Lumineszenzmessungen an einzelnen Quantenpunkten und durch Zweiphotonenabsorption bestimmt. Die Biexzitonbindungsenergie E_biex^b übersteigt den Wert des exzitonischen Rydbergs E_Ryd^* im Volumenmaterial. Für CdSe ergibt sich ein Wert von E_biex^b=1,1E_Ryd^* und für CdS ist E_biex=1,4E_Ryd^*. In polarisationsabhängigen resonanten und nichtresonanten Lumineszenzmessungen wurde eine Zunahme der Austauschaufspaltung im Vergleich zum Volumenmaterial festgestellt. Desweiteren wurde eine lineare Polarisation des biexzitonischen Übergangs gefunden.