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HL: Halbleiterphysik

HL 32: Quantenpunkte

HL 32.9: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 12:30–12:45, H15

Polare Exziton LO-Phonon Kopplung in InAs/GaAs Quantenpunkten — •R. Heitz¹, O. Stier¹, I. Mukhametzanov², A. Madhukar² und D. Bimberg¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstraße 36, D-10623 Berlin — ²Photonic Materials and Devices Laboratory, University of Southern California, Los Angeles, USA

Die polare Exziton-LO-Phonon-Kopplung in selbstorganisierten InAs/GaAs-Quantenpunkten wurde sowohl

experimentell als auch theoretisch untersucht. Selektiv angeregte Photolumineszenz- und Anregungsuntersuchungen an molekularstrahlepitaktisch gewachsenen InAs/GaAs-Quantenpunkten identifizieren phononenassistierte Exzitonenübergänge. Es wird eine größenabhängige Kopplung, die Huang-Rhys-Faktoren zwischen 0.012 und 0.02 entspricht, an lokale Phononen der Quantenpunktstruktur gefunden. Die beobachteten Phononenenergien von 32.3meV und 35.7meV weisen auf die Kopplung an das LO-Phonon des verspannten InAs und ein Grenzflächenphonon hin. Die Ergebnisse werden mit Resultaten von 8-Band-k· p-Modellrechnungen für ideale pyramidenförmige InAs/GaAs-Quantenpunkte verglichen. Die aus den in der Hartree-Näherung berechneten Exzitonenwellenfunktionen in der adiabatischen Näherung berechneten Huang-Rhys-Faktoren zeigen eine gute Übereinstimmung mit den experimentellen Ergebnissen. Die gegenüber unverspannten InAs-Volumenkristallen verstärkte polare Kopplung ist auf den piezoelektrischen Effekt und das spezielle Confinement in den verspannten Pyramiden zurückzuführen.