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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Quantenpunkte (Herstellung und Charakterisierung)

HL 36.6: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 17:15–17:30, H13

Wachstum und Charakterisierung von InAs Quantenpunkten auf Silizium — •Lars Hansen¹, Alexander Ankudinov², Frank Bensing¹, Joachim Wagner¹, George Ade³, Peter Hinze³, Veit Wagner¹, Jean Geurts¹ und Andreas Waag¹ — ¹Physikalisches Institut EP III, Am Hubland, 97074 Wuerzburg — ²on leave from Ioffe Institute, Polytechnicheskaya 26, St. Petersburg, Russia — ³Physikalisch-Technische Bundesanstalt, OE 2.404, Bundesallee 100, 38116 Braunschweig

Ein Ansatz zur Realisierung von optoelektronischen Bauelementen

auf der Basis von Silizium ist die Einbettung von InAs

Quantenpunkten (QP) in eine Siliziummatrix. Wir berichten über

das Wachstum von bis zu 10¹¹ cm⁻² InAs QP mittels

Molekularstrahlepitaxie auf Si(001). Bei einer Gitterfehl-

anpassung von 11.5 % beobachten wir ein klassisches Stranski-

Krastanov-Wachstum mit einem 2D-3D Übergang im Wachstumsmodus

oberhalb einer kritischen Schichtdicke von 1.7 Monolagen.

Rasterkraftmikroskopieaufnahmen zeigen Quantenpunkte mit einem

mittleren Radius von 15 nm und Höhen von 5 nm. Die statistische

Schwankung in der Grössenverteilung beträgt noch etwa 25 %.

Eine Schlüsselfrage zur Anwendung in Bauelementen sind

Verspannung und Defektfreiheit der QP. Hierzu stellen wir

vergleichende Untersuchungen mit RHEED, in-situ Raman-

spektroskopie und TEM vor.