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HL: Halbleiterphysik

HL 36: Quantenpunkte (Herstellung und Charakterisierung)

HL 36.9: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 18:00–18:15, H13

Vertikales Tunneln durch InAs-Quantenpunkte — •C. Bock¹, K.H. Schmidt¹, M. Versen¹, U. Kunze¹, D. Reuter² und A. D. Wieck² — ¹Lehrstuhl für Werkstoffe der Elektrotechnik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum — ²Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum

InAs-Quantenpunkte wurden in eine Schottky-Diode mit dem Aufbau Au/i-GaAs/InAs/i-GaAs/n⁺-GaAs eingebettet, um vertikales Tunneln über die Energieniveaus der Quantenpunkte zu untersuchen. Durch Variation der i-Zone zwischen den Quantenpunkten und dem Schottky-Kontakt wurde der Übergang von einem kapazitiven Verhalten zu einem rein ohmschen Verhalten der Struktur genauer untersucht. Wie erwartet, schiebt mit abnehmender Schichtdicke der Einsatz des ohmschen bzw. kapazitiven Signals zu höheren Spannungen. Legt man eine Spannung in Vorwärtsrichtung an, so ist bei dünnen Barrieren ein Tunneln vom ohmschen Rückkontakt zum Schottky-Kontakt möglich, sobald die Energieniveaus der Quantenpunkte in Resonanz mit den besetzten Zuständen des Rückkontaktes sind. In diesem Fall erscheinen Extrema im differentiellen Leitwert. Die einzelnen Extrema werden den s- und den p-Zuständen der InAs-Quantenpunkte zugeordnet.