Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 37: GaN II

HL 37.1: Talk

Thursday, March 30, 2000, 16:00–16:15, H15

Serienwiderstand der GaN/SiC-Grenzfläche — •Daniel Zuegel, Bertram Kuhn und Ferdinand Scholz — 4.Physikalisches Institut, Universitaet Stuttgart

Das Materialsystem Galliumnitrid besitzt die notwendigen physikalischen Eigenschaften,um einen Halbleiterlaser im blauen Spektralbereich zu realisieren.

Bei nahezu allen bisher veröffentlichten Strukturen, die Lasertätigkeit zeigten, traten jedoch hohe Serienwiderstände auf. Dieses Phänomen wird zum grossen Teil den p-leitenden Schichten und den p-Kontakten zugeschrieben. Ein weiteres Problem ergibt

sich bei Laserstrukturen auf SiC, da vermutlich die Grenzfläche zum Substrat einen hohen Widerstand besitzt. In der vorliegenden Arbeit wurde versucht, anhand von Strom-Spannungskennlinien Ausagen über den spezifischen Widerstand der Grenzfläche AlGaN zum Substrat zu machen. Dazu wurden vereinfachte Laserstrukturen verwendet, bei denen auf das SiC-Substrat, AlGaN und n-GaN aufgewachsen wurden. Als Parameter wurde die Komposition des AlGaN variiert. Hoher Al-Gehalt bedeutet gute

Schichtqualität durch verbesserte Anpassung an das Fremdsubstrat, allerdings erhöht sich dabei der Widerstand und umgekehrt. Die Kunst ist, den Al-Gehalt so zu wählen, dass bei ausreichender Schichtqualität der Widerstand so klein wie möglich wird.