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HL: Halbleiterphysik

HL 37: GaN II

HL 37.5: Vortrag

Donnerstag, 30. März 2000, 17:00–17:15, H15

Quantitative Analyse der RDS/RAS Spektren von Al_xGa_1−xN Schichten — •U. Rossow¹, D. E. Aspnes², R. Goldhahn¹, O. Ambacher³, J. A. Schaefer¹ und M. Stutzmann³ — ¹TU Ilmenau, Inst. f. Physik, Pf. 100565, 98684 Ilmenau — ²NCSU, Phys. Dept., Raleigh, USA — ³Walter Schottky Institut, TU München, Garching

Optische Methoden sind interessant für die Charakterisierung von Heterostrukturen, da sie z. B. eine Echtzeitkontrolle des Schichtwachstums und der Prozessierung der Schichten erlauben. Die quantitative Analyse der linear-optischen Daten von hexagonalen Gruppe-III-Nitrid Schichten ist eine große Herausforderung. Die Komponenten des dielektrischen Tensors є_∥ und є_⊥ für parallel und senkrecht zur c-Achse polarisiertem Licht sind für die meisten Verbindungen nicht (genau) bekannt und eine ganze Reihe von Effekten muß berücksichtigt werden. In diesem Beitrag zeigen wir, daß mit Reflexions-Differenz/Anisotropie-Spektroskopie (RDS/RAS) gemessene Spektren für auf c-plane Saphir und 6H-SiC abgeschiedene Al_xGa_1−xN-Schichten quantitativ verstanden werden können, wenn man i) eine Verkippung der c-Achse, ii) eine anisotrope Rauhigkeit der Schichten, die mit Stufen assoziert ist, iii) und eine anisotrope Verspannung der Schichten in Betracht zieht.