 |
16:00 |
HL 37.1 |
Serienwiderstand der GaN/SiC-Grenzfläche — •Daniel Zuegel, Bertram Kuhn und Ferdinand Scholz
|
|
|
|
16:15 |
HL 37.2 |
Ein Vergleich zwischen Hall-Effekt- Messungen und SIMS- Untersuchungen des flachen Sauerstoffdonators in GaN. — •D. Meister, M. Topf, W. Burkhardt, I. Dirnstorfer, S. Röesel, B. Farangis, A. Hoffmann, H. Siegle, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram und B. K. Meyer
|
|
|
|
16:30 |
HL 37.3 |
Sättigung der optischen Verstärkung in (In,Ga)N/GaN/(Al,Ga)N Laserstrukturen — •O. Lange, M. Vehse, P. Michler, J. Gutowski, S. Bader, B. Hahn und V. Härle
|
|
|
|
16:45 |
HL 37.4 |
Mg-dotierte AlGaN/GaN-Übergitter — •Angela Link, Roman Dimitrov, Alexandre Lima, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
|
|
|
|
17:00 |
HL 37.5 |
Quantitative Analyse der RDS/RAS Spektren von AlxGa1−xN Schichten — •U. Rossow, D. E. Aspnes, R. Goldhahn, O. Ambacher, J. A. Schaefer und M. Stutzmann
|
|
|
|
17:15 |
HL 37.6 |
Elektronenspinresonanz an Silizium-dotiertem AlxGa1−xN — •T. Graf, M. W. Bayerl, O. Ambacher, M. S. Brandt und M. Stutzmann
|
|
|
|
17:30 |
HL 37.7 |
Studies of the epitaxial direction relationship in 2H-AlN/Si(001) heterosystem — •Vadim Lebedev, Ute Kaiser, Joerg Jinschek, Bernd Schroeter, Wolfgang Richter, and Juergen Kraeusslich
|
|
|
|
17:45 |
HL 37.8 |
Surfactant-modifiziertes MBE-Wachstum von GaN — •C. Kruse, S. Einfeldt, V. Kirchner, S. Figge und D. Hommel
|
|
|
|
18:00 |
HL 37.9 |
Elastic Recoil Detection an InGaAsN Quantum Wells — •Lutz Görgens, Günther Dollinger, Andreas Bergmaier, H. Riechert und A. Yu. Egorov
|
|
|
|
18:15 |
HL 37.10 |
MOVPE von Transistorstrukturen auf der Basis von (Al)GaN — •Bertram Kuhn, Oliver Breitschädel, Heinz Schweizer und Ferdinand Scholz
|
|
|
|
18:30 |
HL 37.11 |
Theoretische Untersuchung von Versetzungen in β-GaN — •Alexander Blumenau, Thomas Frauenheim, Robert Jones und Malcolm Heggie
|
|
|
|
18:45 |
HL 37.12 |
Phononen in GaN/AlxGaN Supergitterstrukturen — •M. Schubert, A. Kasic, J. Off, B. Kuhn, F. Scholz, S. Einfeldt und D. Hommel
|
|
|
