Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.13: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Lokale Dotierung von Al_xGa_1−xAs–Heterostrukturen zur Herstellung von 2D Elektronensystemen mittels fokussierter Ionenstrahlimplantation — •Cedrik Meier, Karl Grün, Jörg Koch, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstr. 150, 44780 Bochum

Mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE, molecular beam epitaxy) wurden Al_xGa_1−xAs–Schichten hergestellt und mit fokussierten Si⁺–Ionenstrahlen ortsaufgelöst implantiert. Anschließend wurden die so eingebrachten Donatoren in einem schnellen thermischen Ausheilschritt (RTA, rapid thermal annealing) elektrisch aktiviert. Die so n-dotierten Bereiche wurden mittels Hall-Messungen elektrisch charakterisiert. Wir untersuchen die Abhängigkeit der Aktivierung von Implantationsdosis und Al–Gehalt. Mit dieser Technik der lateral strukturierten Dotierung werden in undotierten Al_xGa_1−xAs/GaAs-Heterostrukturen (HEMT–Strukturen) gezielt 2D-Elektronensysteme bis zum 1D–Limes eingebracht. Dabei werden der Einfluß von unterschiedlichen Spacerdicken sowie Implantationsenergien untersucht. Die Proben werden mittels Magnetotransport–Messungen charakterisiert.