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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.16: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Übergang zwischen paraelektrischer und ferroelektrischer Phase im V-VI-VII-Halbleitersystem SbSexS1−xI — •B. Schatz1, M. Göppert1, C. Maier1, R. Becker1, R. Zaltauskas2, L. Zigas2, A. Audzijonis2 und C. Klingshirn1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — 2Department of Physics, Vilnius Pedagogical University, Litauen
Der Halbleiter SbSI ist dafür bekannt, daß er bei Raumtemperatur die Kristallstruktur ändert und dabei ein Übergang zwischen ferroelektrischer und paraelektrischer Phase stattfindet. An SbSexS1−xI-Kristallen wurden mit Hilfe eines Fourier-Spektrometers temperaturabhängige Infrarot-Reflexionsmessungen durchgeführt und auf Veränderungen der Phononeigenfrequenzen hin ausgewertet. Für SbSI wurden Spektren an (110)- und (100)- Flächen aufgenommen und eine unterschiedliche Anzahl infrarotaktiver Phononbanden festgestellt. Durch die Symmetrie der Volumenkristalle ist die c→-Achse besonders ausgezeichnet, weshalb polarisationsabhängige Messungen für E→ ⊥ c→ und E→ ∥ c→ vorgenommen wurden. Die Bestimmung der longitudinalen und transversalen Phononeigenfrequenzen erfolgte durch Kramers-Kronig-Analyse. Wie erwartet wurde mit steigendem Selen-Gehalt eine Verringerung der Übergangstemperatur festgestellt.