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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.16: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Übergang zwischen paraelektrischer und ferroelektrischer Phase im V-VI-VII-Halbleitersystem SbSe_xS_1−xI — •B. Schatz¹, M. Göppert¹, C. Maier¹, R. Becker¹, R. Zaltauskas², L. Zigas², A. Audzijonis² und C. Klingshirn¹ — ¹Institut für Angewandte Physik, Universität Karlsruhe, D–76128 Karlsruhe — ²Department of Physics, Vilnius Pedagogical University, Litauen

Der Halbleiter SbSI ist dafür bekannt, daß er bei Raumtemperatur die Kristallstruktur ändert und dabei ein Übergang zwischen ferroelektrischer und paraelektrischer Phase stattfindet. An SbSe_xS_1−xI-Kristallen wurden mit Hilfe eines Fourier-Spektrometers temperaturabhängige Infrarot-Reflexionsmessungen durchgeführt und auf Veränderungen der Phononeigenfrequenzen hin ausgewertet. Für SbSI wurden Spektren an (110)- und (100)- Flächen aufgenommen und eine unterschiedliche Anzahl infrarotaktiver Phononbanden festgestellt. Durch die Symmetrie der Volumenkristalle ist die c^→-Achse besonders ausgezeichnet, weshalb polarisationsabhängige Messungen für E^→ ⊥ c^→ und E^→ ∥ c^→ vorgenommen wurden. Die Bestimmung der longitudinalen und transversalen Phononeigenfrequenzen erfolgte durch Kramers-Kronig-Analyse. Wie erwartet wurde mit steigendem Selen-Gehalt eine Verringerung der Übergangstemperatur festgestellt.