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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.20: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Linienformanalyse an Modulations- und Anregungsspektren von zweidimensionalen Elektronen- und Löchergasen — •A. Herasimovich¹, S. Shokhovets¹, R. Goldhahn², G. Gobsch² und M. Henini³ — ¹Minsk, Skaryna Prosp. 65, 220027 Minsk, Belarus — ²Institut für Physik, TU Ilmenau, Weimarer Str. 32, D-98693 Ilmenau — ³University of Nottingham, Department of Physics, University Park, Nottingham NG7 2RD, United Kingdom

Es wurden Elektroreflexion-, Photolumineszenz- und Photolumineszenz-anregungsuntersuchungen an n- und

p-dotierten Schottky-Gate GaAs/AlGaAs Single-Quantum-Well-Strukturen im Temperaturbereich 1.5-80 K

durchgeführt. Die Analyse der Linienform und der energetischen Lage der optischen Übergänge unter

Berücksichtigung des Stark-Effektes und der Band-Gap-Renormierung ergibt den Beitrag von freien

Exzitonen und Exzitonenkontinuums zur Resonanzabsorption und Emission. Dieser Beitrag wird in

Abhängigkeit von der Ladungsträgerdichte und der Temperatur diskutiert. Die Dichten des Elektronen-

bzw. des Löchergases im Quantum Well werden dabei mit Hilfe der Gatespannung kontinuierlich von

nahezu Null bis 5*10¹¹ cm ^-2 variiert.