Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.24: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Parameterfreie Berechnung Optischer Eigenschaften von Gruppe–IV–Nanokristalliten — •H.-Ch. Weißker, J. Furthmüller und F. Bechstedt — IFTO, Friedrich–Schiller–Universität, Max–Wien–Platz 1, 07743 Jena

Wir präsentieren erste Ergebnisse der Berechnung optischer Eigenschaften von in SiC–Wirtsmaterial eingeschlossenen Ge– oder Si–Nanokristalliten.

Die dichtefunktionaltheoretische Berechnung der Elektronenstruktur erfolgt mit dem VASP–Programmpaket unter Benutzung der Projector-Augmented Wave Method in 216– bzw. 512–atomigen sc–Superzellen. Wir beschränken uns bisher auf die Lokaldichtenäherung, was noch nicht zu realistischen Spektren führen kann. Auf Fragen der Strukturoptimierung wird nur am Rande eingegangen.

Die Berechnung des Imaginärteils der dielektrischen Funktion erfolgt unter Benutzung der Ehrenreich–Cohen–Formel und einer modifizierten Tetraedermethode für die Brillouinzonenintegration. Unsere Methode erlaubt die Rechnung an einem einzigen k-Punkt unter Beibehaltung der Tetraedermethode und umgeht dabei das Problem der Bandüberkreuzung und –zuordnung.

Es erfolgt die Diskussion von Einfluß und Stärke von fiktiven Übergängen, die auf die Superzellenbeschreibung des zugrundeliegenden Volumenhalbleiters zurückgehen.

Kristallitsensitive Differenzspektren werden präsentiert, ihre Abhängigkeit von der Kristallitgröße wird diskutiert.