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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.28: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Raster-Nahfeldmikroskopie (SNOM) der Photolumineszenz von Halbleiter-Quantenpunkten bei tiefen Temperaturen — •E. Speiser, N. Blüthgen, D. Pahlke, B. Rähmer und W. Richter — TU Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Zur örtlich hochaufgelöster Untersuchung optischer Eigenschaften von Halbleiternanostrukturen hat sich die Raster-Nahfeldmikroskopie als ein sehr geeignetes Werkzeug erwiesen.

Es wird ein Aufbau zur Messung orts- oder spektralaufgelöster Photolumineszenz von InAs/GaAs-Quantenpunkten bei tiefen Temperaturen (T=20K) vorgestellt. Die Anregung und Detektion erfolgen durch eine unbedampfte Glasfaserspitze im sog. “Shared-Aperture-Mode”. Der Abstand der Glasfaserspitze von der Probe wird dabei durch Scherkraftdetektion kontrolliert. Ziel ist die Aufnahme von Photolumineszenzspektren einzelner Quantenpunkte bei tiefen Temperaturen, sowie ortsaufgelöste monochromatische Photolumineszenzmessungen bei gleichzeitiger Messung der Topographie.

Es werden erste Messungen zur Temperaturabhängigkeit der Photolumineszenz von InAs/GaAs Quantenpunkten vorgestellt.