Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.3: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Diffusion gespeicherter Ladungsträger in lateralen statischen Potentialübergittern — •J. Krauß, S. Zimmermann, A. Wixforth und J. P. Kotthaus — CeNS und Sektion Physik der LMU, Geschwister-Scholl-Platz 1, 80539 München

Laterale Potentialübergitter stellen bei tiefen Temperaturen ein elegantes Mittel zum Studium sowohl von Exzitonen als auch von freien Ladungsträgern dar.
Die untersuchten Proben bestehen aus einer AlGaAs/GaAs Quantentopf-Struktur, auf die mittels Elektronenstrahl-Lithographie interdigitale Metallelektroden aufgebracht wurden. Durch Anlegen einer entsprechenden Spannung erreicht man eine in weiten Grenzen einstellbare laterale Potentialmodulation in der Ebene des Quantentopfes. Aufgrund der resultierenden lateralen elektrischen Felder werden optisch generierte Elektron-Loch-Paare getrennt, die entstehenden freien Ladungsträger sammeln sich in den Potentialmulden unter den entsprechenden Elektroden. Wird die Potentialmodulation aufgehoben, sind die Ladungsträger wieder frei beweglich und können strahlend rekombinieren [1].
In der vorliegenden Arbeit wird das Diffusions-Verhalten der gespeicherten Ladungsträger über makroskopische Strecken entlang der Elektroden mittels orts- und zeitaufgelöster Photolumineszenz untersucht. Die dabei auftretenden Längen sind aufgrund der extrem gesteigerten Lebensdauer erheblich größer als bei Exzitonendiffusion.

[1] S. Zimmermann, A. Wixforth, J. P. Kotthaus, W. Wegscheider, M. Bichler, Science, Vol 283, p.1292 (1999)