Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.30: Poster
Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B
Konversionsprozesse zwischen dem 1s-Para- und dem 1s-Ortho-Niveau in Cu2O — •M. Jörger, M. Schmidt, R. Westphäling, A. Jolk und C. Klingshirn — Universität Karlsruhe/Institut für Angewandte Physik
Das 1s-Exziton der gelben Exzitonenserie in Cu2O spaltet durch Austauschwechselwirkung in das dreifach entartete 1s-Ortho- und in das 12meV tiefer liegende nicht entartete 1s-Para-Niveau auf. Orthoexziton (XO) und Paraexziton (XP) können unter Beteiligung von zwei Phononen (1LO + 1LA) ins jeweils andere Niveau konvertieren.
Aus Messungen der externen XO-Lumineszenz-Quanteneffizienz unter
linearer Anregung werden die temperaturabhängigen Übergangsraten U(T)
(XP→ XO) und D(T) (XO→
XP) bestimmt.
Die Temperaturabhängigkeit der XO-Lumineszenz unter Hochanregung
zeigt ein abweichendes Verhalten und deutet auf eine starke
Unterdrückung der XO↔ XP-Konversionsprozesse
hin.
Auch mit temperaturabhängigen Messungen
der zeitaufgelösten XO-Lumineszenz wurden die Konversionsprozesse
untersucht, und die Ergebnisse lassen sich zumindest qualitativ mit dem Bild
einer Zwei-Phononen-assistierten Konversion in Einklang bringen.