Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.32: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
UHV-Ramanspektroskopie an InAs-Quantendots auf As passivierten Silizium Oberflächen — • J.Wagner, V.Wagner, L. Hansen, F.Bensing, A.Waag und J.Geurts — Physikalisches Institut der Universität Würzburg, Experimentelle Physik III, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Für opto-elektronische Anwendungen ist die Kombination von einem Material mit direkter Bandlücke mit Silizium sehr interessant. Wir untersuchen das System InAs auf Si. Die hohe Gitterfehlanpassung von 10 % erlaubt das Abscheiden von selbst organisierten Quanten-Dots (QD), wobei das Bandlückenverhältnis (EInAs<ESi) ein Confinement der Ladungsträger gewährleistet. Das Wachstum hängt kritisch von der Orientierung und Präparation der Substratoberfläche ab. Daher werden die InAs-QD sowohl auf Si(001) als auch auf Si(111) mittels Molekular-Strahl-Epitaxie (MBE) gewachsen, wobei auch der Einfluß einer Arsen-Passivierung untersucht wird. Nach einem UHV-Transfer werden die Analysen an einem UHV-Raman-Messplatz durchgeführt. Die Ramanspektroskopie erlaubt den Nachweis und die Charakterisierung der aus ca. 2ML enstehenden InAs-QD als auch der passivierenden Arsen-Monolage. Die Temperaturabhängigkeit und die Auswahlregeln der As-ML-Schwingung werden bestimmt und diskutiert. Desweiteren erlaubt die Lage der InAs-Phononen die Analyse des Verspannungzustandes der Dots, welcher stark von den Präparationsbedingungen abhängt. Die Ergebnisse werden mit RHEED, AFM und TEM Messungen korreliert.