Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.33: Poster
Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B
(2x4) Rekonstruktionen von GaP(001) und InP(001) — •Kathy Lüdge1, Patrick Vogt1, Olivia Pulci2, N. Esser1, F. Bechstedt2 und W. Richter1 — 1TU-Berlin, PN6-1 Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin — 2FSU-Jena,Max-Wien-Platz 1, 07743 Jena
Wir vergleichen Messungen am Rastertunnelmikroskop (STM) für GaP- und InP(001)- Oberflächen mit Berechnungen der Oberflächenladungsdichte mittels ab-initio DFT-LDA-Theorie . Zur Oberflächenpräparation wurden in der MOVPE hergestellte Proben mit einem amorphen P/As-Cap versehen, welches anschließend unter UHV-Bedingungen thermisch desorbiert wurde.
Für die indiumreiche (2x4)-Rekonstruktion von InP(001) hat sich das sogenannte „mixed dimer“ Modell etabliert, welches aus einem gemischten Indium-Phosphor-Dimer auf einer Lage aus Indium-Dimeren besteht. Die zu diesem Modell simulierten STM-Bilder zeigen eine sehr gute Übereinstimmung mit den STM-Messungen. In beiden sieht man parallele Reihen, die in [110]-Richtung zeigen, innerhalb derer sich alle 2 Gitterkonstanten eine Dreiecksstruktur wiederholt.
Die STM-Bilder mit atomarer Auflösung der galliumreichen (2x4) Rekonstruktion von GaP(001) zeigen ebenfalls Reihen mit dreieckigem Muster. Dieses wird von dem „mixed-dimer“ Modell in den Rechnungen reproduziert. Daraus schließen wir, daß es sich auch hier um eine „mixed dimer“ Rekonstruktion handelt. Die für höhere Gallium-Bedeckungen vorhergesagte, energetisch günstigere, „top-Gallium-dimer“ Rekonstruktion konnte experimentell nicht gefunden werden.