Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)
HL 38.34: Poster
Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B
Untersuchungen zum Bondverhalten O2 - plasmabehandelter Siliziumwafer — •Marco Wiegand, Manfred Reiche, Gertrud Kräuter und Ulrich Gösele — Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik Halle/ S.
Experimentelle Untersuchungen haben gezeigt, dass sich die Bondenergie von hydrophil gebondeten Siliziumwafern im Niedertemperaturbereich (bis 400 C) durch eine O2 Plasmabehandlung vor dem Bondprozeß deutlich erhöhen läßt. Messungen der Bondenergie als Funktion der Lagerungszeit zwischen Plasmabehandlung und Bonden sowie Kontaktwinkelmessungen an plasmabehandelten Silizumwafern lassen erkennen, dass die maximale Aktivierung der Oberfläche direkt nach der Plasmabehandlung gegeben ist. In detaillierteren Untersuchungen sind verschiedene Paarkombinationen von RCA gereinigten und O2 - plasmabehandelten Wafern gebondet worden. Die mittels Infrarot-Transmissions-Spektroskopie aufgenommenen Spektren zeigen für alle Paarkombinationen die für hydrophil gebondete Waferpaare typischen Absorptionsbanden. Offensichtlich bildet das O2 Plasma eine Oxidschicht, die in ihren Eigenschaften der einer thermisch erzeugten Oxidschicht ähnelt. Auch scheint die Anzahl der Hydroxylgruppen auf den plasmabehandelten Siliziumoberflächen im Vergleich zu RCA gereinigten geringer zu sein. Es ist daher davon auszugehen, dass sich das charakteristische Bondverhalten von O2 - plasmabehandelten Siliziumwafern weitaus komplexer gestaltet als für gewöhnlich RCA gereinigte Siliziumwafer.