Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.39: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Resonante Ramanspektroskopie an Oberflächenphononen von InP (110) bei Temperaturen zwischen 300K und 50K — •Zoltan Juhas, Karsten Hinrichs, Anna-Maria Frisch, Norbert Esser und Wolfgang Richter — Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Es wurden resonante Ramanmessungen bei Photonenenergien von 2.71, 3.00 und 3.05 eV an der InP(110)-Oberfläche durchgeführt. Die Streuintensitäten zeigen eine starke Temperaturabhängigkeit zwischen 300K und 50K. Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie-(RAS)-Messungen ergeben zwei Strukturen zwischen 2.6 eV und 3.0 eV. Diese können elektronischen Übergängen unter Beteiligung von Oberflächenzuständen zugeordnet werden. Die Strukturen in den RAS-Spektren werden bei tieferen Temperaturen deutlich schärfer und zeigen eine Verschiebung zu grösseren Energien (0.12 eV). Die energetische Verschiebung der Oberflächenübergänge erklärt die beobachtete Änderung der Streuintensitäten der Oberflächenphononen in den resonanten Ramanspektren.