Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.41: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Herstellung von metallischen Nanostrukturen mittels selbstorganisierender Kondensationsfiguren auf Halbleitern — •M. Haupt¹, S. Miller¹, K. Bitzer¹, K. Thonke¹, R. Sauer¹, A. Mourran², J. Spatz² und M. Möller² — ¹Abt. HL-Physik, Uni-Ulm, 89069 Ulm — ²Abt. Organ. Chemie III, Uni-Ulm, 89069 Ulm

Durch kontrollierte Kondensation von Wassertröpfchen auf einem

amphiphilen Polymerfilm, der z.B. auf einem Halbleitersubstrat

aufgebracht wird, können Polymermuster

erzeugt werden.
Zunächst können die Polymerwaben durch

Metallbedampfungen und anschließende Lift-Off-Techniken

in metallische Scheiben

übertragen werden. Ein Bildumkehrprozess erlaubt

die Herstellung entsprechender inverser

metallischer Strukturen. Der Durchmesser der

Waben lässt sich zwischen 120nm und mehreren

Mikrometern über makroskopische Substratbereiche

hinweg einstellen. Ihre Höhe kann zwischen 5nm

und 50nm variiert werden.
Mit dem Übertrag der Metallmasken mittels reaktiven

Ionenstrahlätzens in Halbleiter (GaAs, Si) werden