Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.43: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Musterbildung in PbTe-Dotierungsübergittern — •Kurt Sorschag, Bernhard Jamnig und Christian Teichert — Institut für Physik, Montanuniversität Leoben, A-8700 Leoben

Mittels Rasterkraftmikroskopie wird die Oberflächenmorphologie von einkristallinen PbTe-Dotierungsübergittern untersucht, die mit Hot-Wall-Epitaxie auf Bariumfluorid(111)-Substraten gewachsen werden. Diese Proben dienen unter anderem zur Untersuchung des Metall-Isolator-Überganges sowie der Physik des Quantenhalleffektes in breiten Quantentrögen.

Für 1500 nm dicke Einfachschichten wurde gefunden, da/ss die Oberflächenmorphologie wesentlich von der Dotierungsart bestimmt wird. So zeigen die tellurreichen p-Typ Schichten Pyramiden mit hexagonaler Symmetrie, während die bleireichen n-Typ Schichten irregulär geformte Kristallite mit (111) Terrassen an der Spitze aufweisen. Durch Wachsen von npn Vielfachschichten bilden sich auch in den n-Schichten regelmäßige Strukturen, deren Einheitlichkeit mit der Dicke der p-Schicht kontrolliert werden kann.