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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.47: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Lateraler elektronischer Magnetotransport in InAs_xSb_1−x/
InAs_y(P_0,69Sb_0,31)_1−y Quantentöpfen — •U.Th. Hunger¹, A. Behres², J. Kluth², J. Appenzeller¹, B. Lengeler¹ und K. Heime² — ¹2. Physikalisches Institut, RWTH Aachen — ²Institut für Halbleitertechnik, RWTH Aachen

Heterostrukturen basierend auf dem Materialsystem InAsPSb stehen im Interesse aktueller Forschung, besonders zur Herstellung von Infrarotemittern, Hallsensoren und Transistoren. Wegen der Bedeutung von elektrischen Transportdaten untersuchen wir den lateralen elektronischen Magnetotransport in Einfachquantentöpfen, welche in InAs_xSb_1−x/ InAs_y(P_0,69Sb_0,31)_1−y Halbleiterheterostrukturen realisiert wurden. Dabei studieren wir die Abhängigkeiten der Ladungsträgerdichte, der Mobilität, der effektiven Masse und der Einteilchenstreuzeit von der Zusammensetzung im Bereich 0,94<x<1 und 0<y<0,6 für Temperaturen 0,3 K<T<300 K und in Magnetfeldern bis 8 T. Verschiedene Streumechanismen und der konzentrationsabhängige Leitungsbandversatz werden zur qualitativen Interpretation der Ergebnisse herangezogen.