Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.48: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Transport und Struktur von gesputterten ZnO/c-Si Heterokontakten — •M. Poschenrieder, K. Kliefoth, I. Sieber und W. Fuhs — Hahn-Meitner-Institut, Abt. Si-Photovoltaik, Kekulestr. 5, 12489 Berlin

Für eine Anwendung als TCO-Emitter auf c-Si-Absorber und im

Hinblick auf die grundlegende Problematik von Bandanpassung und

Transport im Hetero-Übergang wird der Hetero-Kontakt n+-ZnO/c-Si

untersucht.

Die Proben wurden durch reaktives und nicht-reaktives Sputtern

von ZnO auf c-Si hergestellt. Transport und Bandanpassung wurden

mittels I-V(T) und C-V(T) sowie SPV, Struktur der ZnO-Schichten

und der Grenzfläche mittels REM, EDX und TEM untersucht. Beim

Transport über die Grenzfläche dominiert thermionische Emission;

sowohl für n- als auch p-Si verhalten sich die Dioden wie

(fast-) ideale Metall-Halbleiter-Kontakte. Es wird beobachtet,

dass die Leistungsdichte des Sputterplasmas die Bandanpassung

(Barrierenhöhe) mitbestimmt; die Ursache hierfür sind

Sputterdefekte, die im Silizium Zustände mit Dichten um

1012 /cm2 eV erzeugen. Zudem wird gezeigt, da* Sputterprozess

ein defektreiches Oxid an der Grenzfläche gebildet wird,

welches die I-V- und C-V-Charakteristik beeinflusst. Laterale

Inhomogenitäten der Barrierenhöhe und deren strukturelle