Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.51: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Ladungsträgertransport in a-Si:H(n)/c-Si(p) Heterokontaktsolarzellen — •A. Froitzheim¹, K. Brendel¹, K. Kliefoth¹, J. Knechtel², M. Schmidt¹ und W. Füssel¹ — ¹Hahn-Meitner-Inst.-Berlin, Abt. Silizium-Photovoltaik, Kekulestr. 5, 12489 Berlin — ²CiS Inst. für Mikrosensorik gGmbH, Haarbergstr. 61, 99097 Erfurt

Das Verhalten von Heterokontakten ist wesentlich durch die

Eigenschaften der Grenzfläche wie

Banddiskontinuitäten und Grenzflächenrekombination bestimmt.
Wir haben den Kontakt mit temperaturabhängigen I-U Messungen und mit

Hilfe der Modulations-CV (MCV) untersucht. Dabei bietet die

MCV-Methode die Möglichkeit den Transport von

Ladungsträgern im Raumladungsgebiet zu

untersuchen.
Die Messungen zeigen, daß der Transport der

Elektronen an der a-Si/c-Si Grenzfläche

vermutlich durch eine Barriere im Leitungsband behindert ist.

MCV-Messungen deuten darauf hin, daß der

Transport

über die Barrier nicht durch thermische Emission bestimmt

ist. Wir schlagen Tunnelprozesse und Hopping für