Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.53: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Kapazitätsmessungen an MIS-Heterostrukturen mit epitaktischen Feldeffektelektroden — •Jörg Lohse, Patrick Ong, Hans-Jörg Klammer, Christan Heyn, Sandra Schnüll und Wolfgang Hansen — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11, 20355 Hamburg

Wir berichten über modifizierte Metall-Isolator-Halbleiter- (MIS-) Heterostrukturen auf der Basis von GaAs/Al_xGa_1−xAs-Schichtsystemen, die mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) präpariert werden. In den untersuchten MIS-Strukturen werden durch Feldeffekt zweidimensionale Elektronensysteme mit starken Einschlußpotentialen in Wachstumsrichtung und abstimmbaren Besetzungsdichten induziert. Da die Elektronensysteme von einem Rückkontakt über eine Tunnelbarriere geladen werden, können beeinträchtigende Potentialfluktuationen durch Coulombzentren weitgehend vermieden werden. Als Topgate wurden sowohl metallische Schichten als auch epitaktisch gewachsene, hochdotierte Deckschichten aus GaAs verwendet. Die ohmsche Kontaktierung dieser Deckschichten erfolgt durch das Aufdampfen von Metall. Wir präsentieren Charakterisierungsmessungen der elektronischen Eigenschaften unserer MIS-Strukturen mit Hilfe der Magneto-Kapazitätsspektroskopie bei T=4.2K und Magnetfeldern bis 5.5 Tesla.