Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.55: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Kohärentes MOVPE-Wachstum von Ga_xIn_1−xN_yAs_1−y und GaN_yAs_1−y auf (001) GaAs — •V. Gottschalch¹, G. Kirpal¹, G. Leibiger¹, R. Schwabe¹, B. Rheinländer¹, G. Benndorf¹, V. Riede¹, G. Wagner¹ und M. Gerhardt² — ¹Universität Leipzig, Fakultäten für Chemie und Physik, Linnéstr. 3–5, 04103 Leipzig — ²Institut für Oberflächenmodifizierung e. V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Mit der metallorganischen Gasphasenepitaxie wurden pseudomorphe Ga_xIn_1−xN_yAs_1−y- und GaN_yAs_1−y-Epitaxieschichten und Quantengrabenstrukturen (QW) auf (001) GaAs-Substraten mit den Quellen TMGa, TMIn, Arsan, Tertiärbutylarsan und Dimethylhydrazin bei Züchtungstemperaturen zwischen 525^∘C und 600^∘C abgeschieden. Der Stickstoffgehalt in den Schichten (y ≤ 0,04) wurde mittels HRXRD und die zugehörige Bandlückenenergie durch Photolumineszenz-, Ellipsometrie- und Absorptionsuntersuchungen bestimmt. Die Analyse der Oberflächenmorphologie an 300 nm dicken GaN_yAs_1−y-Schichten zeigte eine beginnende Rißbildung bei y > 0,02. Alle untersuchten QW-Strukturen zeigten abrupte und glatte Grenzflächen und wuchsen pseudomorph auf. Eine fehlpassungsinduzierte Baufehlerbildung trat nicht auf, wie TEM- und Ätzuntersuchungen zeigten. In die GaN_yAs_1−y-Schichten wurden zur Spannungsreduzierung InAs-Monolagen eingebaut. Das Wachstum von (GaN_yAs_1−y)_m(InAs)_n-kurzperiodischen Übergittern wird analysiert und Analogien zum Wachstumsmechanismus von (GaAs)_m(InAs)_n kurzperiodischen Übergittern aufgezeigt. Die optischen Eigenschaften solcher Übergitter werden mit denen von Ga_xIn_1−xN_yAs_1−y-QW-Strukturen verglichen.