Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.56: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Photolumineszenzspektroskopie der Besetzung elektronischer Subbänder in (Al,Ga)As/GaAs-Heterostrukturen: Einfluß der Löcher — •L. Schrottke, R. Hey, J. Ringling und H. T. Grahn — Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin

Interbandübergänge in Halbleiter-Heterostrukturen werden oft mittels Photolumineszenzspektroskopie (PLS) charakterisiert, da diese Methode routinemäßige Untersuchungen zuläßt. Für die Bestimmung der Besetzung von elektronischen Subbändern in unipolaren Systemen (z.B. Quanten-Kaskaden-Laser) kann ebenfalls die PLS eingesetzt werden, wenn die Eigenschaften der Löcher berücksichtigt werden. Zunächst zeigt ein einfaches Modell in guter Übereinstimmung mit den experimentellen Ergebnissen, daß die Verteilung der durch die Kontakte injizierten Elektronen nur bestimmt werden kann, wenn die Konzentration der photoangeregten Ladungsträger klein gegen die der injizierten Elektronen ist. Weiterhin führt eine inhomogene Elektronenverteilung infolge der Rekombination zu einer inhomogenen Löcherverteilung, die außerdem noch durch die Transporteigenschaften der Löcher selbst modifiziert wird. Bei der zeitaufgelösten PLS mit Femtosekundenimpulsen kann jedoch unmittelbar nach dem Anregungsimpuls von einer in der Regel homogenen Verteilung der Löcher ausgegangen werden. Ist die Zeitauflösung der Detektion kleiner als die charakteristischen Zeiten sowohl des Löchertransports als auch der Rekombination, kann die Elektronenverteilung aus den Spektren bestimmt werden.