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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.57: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Elektronische Raman-Spektroskopie in Microcavities — •L. Rolf, A. Dethlefsen, D. Endler, Ch. Heyn, C. Schüller und D. Heitmann — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg

Wir untersuchen die kollektiven elektronischen Anregungen modulationsdotierter GaAs-AlGaAs-Quantum Wells mittels resonanter inelastischer Lichtstreuung. Die untersuchten Proben sind einseitig modulationsdotierte Einfach-Quantum Wells, die sich im Zentrum des Spacers einer MBE-gewachsenen AlAs-AlGaAs-Microcavity befinden. Die Cavity ist hierbei so dimensioniert, dass sich die Cavity-Mode im effektiven Bandgap der dotierten Quantum Well-Struktur befindet. Wir konnten erstmalig zeigen, dass sich die elektronischen Ramansignale bei der Streuung an kollektiven Spindichte- und Ladungsdichte-Intersubband-Anregungen des Quantum Wells durch die Resonanz des eingestrahlten Laserlichtes mit der rein photonischen Cavity-Mode verstärken lassen. Dies eröffnet neue Perspektiven, beispielsweise für die Verstärkung von schwachen Ramansignalen in Quantenpunkt-Strukturen mit wenigen Elektronen.