Regensburg 2000 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.59: Poster

Thursday, March 30, 2000, 14:00–19:00, B

Herstellung und Charakterisierung von Einzelelektronen Transistoren auf polykristallinem Silizium — •Wolfgang Neu, Ralf Augke, Freek E. Prins, Christof Single, David Wharam und Dieter P. Kern — Institut fuer Angewandte Physik, Universitaet Tuebingen

Die Strukturierung von Einzelelektronen Transistoren (SET) in

polykristallinem Silizium eröffnet die Möglichkeit, diese

direkt in das Gate eines MOSFETs zu integrieren, um über den

Ladungszustand des SETs den Kanalstrom steuern zu können.

Die SETs bestehen aus einem polykristallinem Si Quantendot, der

durch zwei Tunnelbarrieren mit Source und Drain verbunden ist.

Über zwei seitliche Steuerelektroden und eine ausgedehnte

Elektrode auf der Substratrückseite kann dann der SET

elektrisch charakterisiert werden. Das polykristalline Silizium

wird in einem LPCVD-Prozess auf eine isolierende Siliziumoxidschicht

abgeschieden und anschliessend thermisch dotiert.

Die Strukturierung erfolgt per Elektronenstrahllithographie,

Trockenätzen (RIE) und Oxidation. Anhand erster Strukturen

werden die typischen Eigenschaften und das elektrische Verhalten