Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.62: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Stark polarisationsabhängige pin-Photodioden mit hoher Responsivität — •Sascha Danninger, Martin Ruff, Peter Kiesel und Gottfried H. Döhler — Institut für Technische Physik I, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen

Auf GaAs/AlGaAs pin-Photodioden wurden mit Hilfe von Elektronenstrahllithographie Polarisationsgitter aus Gold mit Periodenlängen zwischen 400 nm und 800 nm aufgebracht. Die Verhältnisse von Fingerbreite zu Gitterperiode variieren im Bereich von 0.35 bis 0.6. Untersucht wurden die Polarisationsabhängigkeiten dieser Photodioden im Wellenlängenbereich von 500 nm bis 1000 nm. Dazu wurde der Photostrom, die transmittierte und die reflektierte Leistung für verschiedene Polarisationsrichtungen gemessen. In Abhängigkeit von der Gitterperiode und dem Verhältnis von Fingerbreite zu Gitterperiode ergeben sich Kontraste im Photostrom von nahezu 11. Besonders vorteilhaft für Anwendungen ist, daß sich in TM-Richtung (E-Feld Vektor senkrecht zu Gitterlinien) mit Gitter sogar eine höhere Responsivität (bessere Lichteinkopplung) ergibt als ohne Gitter, sowie eine große spektrale Breite der Polarisationsabhängigkeit.