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HL: Halbleiterphysik

HL 38: Poster III: Transporteigenschaften (1-14), Optische Eigenschaften (15-31), Grenz-/Oberfl
ächen (32-44), Heterostrukturen (45-57), Bauelemente (58-67), Gitterdynamik (68-69), Diamant (70), Raster-Tunnel-Mikroskopie (71)

HL 38.68: Poster

Donnerstag, 30. März 2000, 14:00–19:00, B

Gitterdynamik der dotierten und undotierten Gruppe - III Nitride — •G. Kaczmarczyk, A. Kaschner, A. Hoffmann und C. Thomsen — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Mittels Ramanspektroskopie werden die Wirtsphononen und die lokalen Moden der dotierten Gruppe - III Nitride (InN und GaN) beobachtet. Die beobachteten second-order Ramanstrukturen werden durch Vergleich mit berechneten Phononendispersionskurven zugeordnet. Die lokalen Moden, die von der Masse der Störstelle und ihren Bindungskräften mit den Nachbaratomen abhängen, werden im Rahmen des modifizierten Valenzkraftmodells von Kane beschrieben. Auf diese Weise werden die lokalen Schwingungsfrequenzen verschiedener Störstellen wie Mg, As berechnet. Die Ergebnisse werden mit experimentellen Daten für die Systeme GaN:Mg, As verglichen; sie stimmen mit den experimentellen Werten gut überein. Für Si und C in GaN finden wir, daß die Störstellenmoden stark mit den Wirtsphononen hybridisieren.