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10:30 |
HL 3.1 |
Lokale Struktur von implantiertem B in amorphem Si — •B. Ittermann, F. Mai, M. Füllgrabe, M. Heemeier, F. Kroll, K. Marbach, P. Meier, H. Mell, D. Peters, H. Thieß, H. Ackermann und H.-J. Stöckmann
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10:45 |
HL 3.2 |
Structural and electronic properties of fluorine impurities in tetrahedrally bonded amorphous carbon — •M. Amkreutz, K. Kohary, G. Jungnickel, Th. Frauenheim, and G. Seifert
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11:00 |
HL 3.3 |
Generations-Rekombinations-Rauschen in p-dotiertem amor phem Silizium — •S.T.B. Goennenwein, A. Kovats, M.S. Brandt und M. Stutzmann
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11:15 |
HL 3.4 |
Ladungsträgertransport in a-SiO x:H pin-Dioden — •Andreas Janotta, Rainer Janssen, Helmut Stiebig, Samantha Kamaladiwela und Martin Stutzmann
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11:30 |
HL 3.5 |
Transport und Rekombination in a-Si:H/c-Si Solarzellen — •Robert M*ller, Peter Kanschat, Klaus Lips und Walther Fuhs
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11:45 |
HL 3.6 |
Monte-Carlo Simulation der spontanen Bildung von InAs-Quantenpunkten — •Clemens Dumat, Christian Heyn und Wolfgang Hansen
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12:00 |
HL 3.7 |
Thermoelektrische Eigenschaften von auf Bi2Te3 basierenden niederdimensionalen Schichtsystemen — •Joachim Nurnus, Harald Beyer, Harald Böttner und Armin Lambrecht
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12:15 |
HL 3.8 |
in-situ RAS-Untersuchungen zur Grenzflächen-Dielektrischen-Anisotropie von AlxGa1−xAs/GaAs (001) — •K. Haberland, A. Kaluza, A. Shkrebtii, H. Hardtdegen, J.-T. Zettler und W. Richter
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12:30 |
HL 3.9 |
Einsatz von Tertiärbutyl-Arsin (TBA) und -Phopshin (TBP) in einer GS-MBE-Anlage zum Wachstum von III/V-Heterostrukturen für den 1,55 µ m Wellenlängenbereich — •B. Mayer, J.P. Reithmaier und A. Forchel
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12:45 |
HL 3.10 |
Wachstum und Charakterisierung von GaInAsN für Laserdioden im 1.3µm-Bereich — •Marc Fischer, Michael Reinhardt, Jürgen Hofmann, Martin Kamp und Alfred Forchel
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13:00 |
HL 3.11 |
Charakterisierung von GaN-Schichten auf Si(111)-Substraten — •Andre Strittmatter, A. Krost, J. Bläsing, P. Veit und D. Bimberg
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13:15 |
HL 3.12 |
Surfactant modifizierte Epitaxie: Herstellung und elektrische Charakterisierung eines Ge-p-Kanal-MOSFETs auf Si- Substrat — •N. Hoffmann, T. Wietler, M. Kammler, D. Reinking, K.R. Hofmann und M. Horn-von Hoegen
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