Regensburg 2000 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 4: Heterostrukturen
HL 4.10: Talk
Monday, March 27, 2000, 12:45–13:00, H14
Einfluss von Te-Zwischenschichten auf die elektronische Struktur von ZnSe/GaAs(100)–Grenzflächen — •Th. Gleim1, C. Heske1, E. Umbach1, C. Schumacher2, W. Faschinger2, C. Ammon3, M. Probst3 und H.-P. Steinrück3 — 1Exp. Physik II — 2Exp. Physik III, Univ. Würzburg, 97074 Würzburg — 3Physik. Chemie II, Univ. Erlangen-Nürnberg, 91058 Erlangen
Zur Optimierung der Qualität von II-VI-Halbleiterstrukturen auf GaAs-Substraten ist eine präzise Kontrolle der Grenzschicht von großer Bedeutung. Für das System ZnSe auf GaAs(100) kann eine Verbesserung des Wachstumsstarts durch Terminierung der GaAs-Oberfläche mit Tellur erreicht werden [1]. Um den Einfluss eines solchen Te-Starts auf die elektronische Struktur von ZnSe/GaAs(100) zu untersuchen, wurden winkelaufgelöste Photoemissionsuntersuchungen (hν=17–80 eV und 1253.6 eV) durchgeführt. Da das Valenzband photonen- und winkelabhängig dispergiert, wurde bei der Ermittlung des Valenzbandoffsets (VBO) Wert auf eine korrekte Bestimmung des Valenzbandmaximums am Γ-Punkt gelegt. Die Tellur-Vorbehandlung, bei der nur ein Teil des Tellurs an der Grenzschicht eingebaut wird, führt zu einer Erniedrigung des VBO von 0,81 eV auf 0,54 eV. Sie beeinflusst auch das Bandverbiegungsverhalten. Die Ergebnisse werden im Hinblick auf die Abhängigkeit des VBO vom Zn/Se–Flussverhältnis beim Wachstumsstart von ZnSe auf GaAs diskutiert [2]. (Gefördert durch DFG (SFB 410) sowie BMBF, Projekt 05SE8WE10)
[1] W. Spahn et. al., Semicond. Sci. Technol. 12, 234 (1997)
[2] R. Nicolini et. al., Phys. Rev. Lett. 72, 294 (1994)