Regensburg 2000 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen

HL 4.12: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 13:15–13:30, H14

Laterale Strukturierung von GaAs/AlAs Quantentöpfen mit fokussierten Ionenstrahlen: Einfluß des Channeling auf die Tiefenverteilung — •S. Eshlaghi^1,2, J. Koch², H.W. Becker³, D. Reuter², D. Suter¹ und A.D. Wieck² — ¹Universität Dortmund, Exp.Phys.III — ²Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik — ³Ruhr-Universität Bochum, Exp.Phys.III

Die Implantation fokussierter Ionenstrahlen ermöglicht die laterale Strukturierung von Quantentöpfen mit einer Auflösung deutlich unter 100 nm. Die thermische Behandlung implantierter Proben bewirkt eine Diffusion der Atome und Durchmischung an den Grenzschichten im implantierten Bereich, die zu einer Modulation der Bandlücke führt. Um eine optimale Durchmischung zu erzielen, muß die Tiefenverteilung bekannt sein. Vergleiche zwischen numerischer Simulation (TRIM) und Experiment zeigen eine Abweichung, die auf den bei der Simulation nicht berücksichtigten Channeling Effekt zurückgeführt wird. Photolumineszenzmessungen an Proben, die senkrecht und geneigt zur Probenoberfläche implantiert wurden, deuten auf zusätzliche Effekte hin. Wir vermuten, daß die induzierten Defekte im Kristall während der thermischen Behandlung in tiefere Regionen diffundieren.