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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen

HL 4.3: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 11:00–11:15, H14

Die Rolle der Elektron-Phonon-Kopplung bei der Temperaturabhängigkeit elektronischer Zustände einer InAs Monolagenstruktur — •H. Scheel¹, A.R. Goñi¹, A. Cantarero², S. Reich¹, C. Thomsen¹ und P.V. Santos³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin — ²Dpto. de Fisica Aplicada, Universidad de Valencia, Burjassot, E-46100 Valencia — ³Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvoigteiplatz 5-7, D-10117 Berlin

Photolumineszenzmessungen (PL) an einer InAs/GaAs-Monolagenstruktur wurden als Funktion der Temperatur im Bereich von 5 bis 170 K durchgeführt. Die Emission aus einer Spaltfläche der Probe zeichnet sich durch zwei Peaks in senkrechter und paralleler linearer Polarisation aus, deren energetische Lagen gegeneinander verschoben sind. Mit Hilfe von tight binding Rechnungen konnten beide PL-Linien zu optischen Übergängen, die von der strahlenden Rekombination des ersten schweren und ersten leichten Loch-Exzitons herrühren, zugeordnet werden. Ein interessanter Effekt ist die unterschiedliche Temperaturabhängigkeit der beiden Übergangsenergien, welche auf eine unterschiedliche Kopplung der beiden Lochzustände zu den Phononen der InAs/GaAs-ML-Struktur zurückzuführen ist.