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HL: Halbleiterphysik
HL 4: Heterostrukturen
HL 4.6: Talk
Monday, March 27, 2000, 11:45–12:00, H14
Phononresonanz im Response eines Halbleiter-Übergitter-Detektors für THz-Strahlung — •F. Klappenberger1, S. Winnerl1, E. Schomburg1, K.F. Renk1, A. A. Ignatov2, W. Wegscheider1 und A.F.G. van der Meer3 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Regensburg — 2Institute for Physics of Microstructures, RAS, Nizhny Novgorod, Russia — 3FOM-Institute for Plasma Physics Nieuwegein, The Netherlands
Wir berichten über die Beobachtung einer infrarotaktiven Phononresonanz im Response eines GaAs/AlAs-Übergitter-Detektors. Der Response zeigt resonantes Verhalten bei der Frequenz (8,0 THz) des transversal optischen k=0 Phonons von GaAs. Der Detektor besteht aus einem dotierten Halbleiter-Übergitter mit breiter Minibandbreite. Das Übergitter, als Mesa ( Durchmesser 5µ m, Länge 0,5µ m) strukturiert wurde über eine Drahtantenne an die Strahlung des FELIX Freie-Elektronen-Lasers (in Nieuwegein, Holland) angekoppelt. Der Response, gemessen als Reduktion eines Gleichstroms durch das Übergittermesa, wird hervorgerufen durch eine Modulation der Blochoszillationen der Minibandelektronen, mit einem Modulationsgrad, der gegeben ist durch die THz-Spannung am Übergitter. Bei der Phononresonanz bewirkt der dielektrische Verschiebungsstrom, dass die THz-Spannung am Übergitter und damit der Modulationsgrad verschwindend klein werden. Das Experiment, zusammen mit einer theoretischen Analyse, zeigt, dass Phononresonanzen in Halbleiter-Übergittern mit Hilfe des THz-Response bestimmt werden können.