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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen

HL 4.7: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:00–12:15, H14

Halbleiter-Übergitter-Oszillator bei 150 GHz — •R. Scheuerer¹, E. Schomburg¹, S. Brandl¹, K.F. Renk¹, D.G. Pavelev², Yu.I. Koschurinov², V.M. Ustinov³ und P.S. Kopev³ — ¹Inst. f. Angew. u. Exp. Physik, Uni Regensburg — ²Dep. Radio Phys., Nizhny Novgorod — ³Ioffe-Inst., St. Petersburg

Wir berichten über einen Halbleiter-Übergitter-Oszillator bei 150 GHz. Der Oszillator bestand aus einem InGaAs/InAlAs-Übergitter (44Å InGaAs, 9Å InAlAs; 120 Perioden; Dotierung 8 · 10¹⁶ cm⁻³), das in einen Hohlleiter eingebaut war. Die Leistung der Mikrowellenstrahlung betrug 0.1 mW (Wirkunsgrad von 0.5 % ). Die Mikrowellenstrahlung wurde durch eine Stromoszillation infolge von wandernden Dipoldomänen auf Grund einer negativen differentiellen Beweglichkeit der Elektronen im untersten Miniband (Breite 200 meV) hervorgerufen. Die Frequenz der Strahlung entsprach dem Quotienten aus der Domänengeschwindigkeit und der Übergitterlänge. Durch Reduktion der Dicke der InGaAs-Schichten und einer damit verbundenen Erhöhung der Domänengeschwindigkeit scheinen aufgrund unserer Experimente Frequenzen bis 200 GHz möglich.