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HL: Halbleiterphysik

HL 4: Heterostrukturen

HL 4.8: Vortrag

Montag, 27. März 2000, 12:15–12:30, H14

Halbleiter-Übergitter mit S-förmiger Strom-Spannungs-Kennlinie — •M. Ellmauer¹, E. Schomburg¹, K.F. Renk¹, H. Steuer², A. Wacker² und E. Schöll² — ¹Institut für Angew. und Exp. Physik, Universität Regensburg — ²Institut für Theoretische Physik, TU Berlin

Wir berichten über ein Halbleiter-Übergitter mit S-förmiger Strom-Spannungs-Kennlinie. Unsere experimentellen und theoretischen Untersuchungen zeigen, daß die Kennlinie durch einen Übergang aus einem niedrigleitenden in einen höherleitenden Zustand des Übergitters, auf Grund der Aufheizung des Elektronensystems im elektrischen Feld, zustandekommt und sich in einer ausgeprägten Hysterese äußert. Wir untersuchten ein schwach dotiertes (< 1· 10¹⁶ cm⁻³) GaAs/AlAs-Übergitter (120 Perioden, 17 ML GaAs, 3 ML AlAs) bei 300 K. Dabei beobachteten wir einen sprunghaften Übergang von einem niedrigleitenden in einen höherleitenden Zustand (bei 18 V) und zurück (bei 14 V) mit einer jeweiligen Stromänderung um drei Größenordnungen. Simulationen weisen darauf hin, daß sich die Elektronen im niedrigleitenden Zustand im untersten Miniband befinden, während im höherleitenden Zustand ein signifikanter Anteil in die Kontinuumszustände mit deutlich höherer Beweglichkeit angeregt wird.